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參數資料
| 型號： | MJE5730 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
| 中文描述： | 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | MJE5730 |
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply
drivers and other switching applications.
300 V to 400 V (Min) — VCEO(sus)
1.0 A Rated Collector Current
Popular TO–220 Plastic Package
PNP Complements to the TIP47 thru TIP50 Series
Peak
3.0
Base Current
1.0
Adc
Total Power Dissipation
@ TC = 25 C
40
Watts
Derate above 25 C
Unclamped Inducting Load Energy (See Figure 10)
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
0.016
20
–65 to +150
W/ C
mJ
C
E
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJE5730/D
1.0 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
300–350–400 VOLTS
40 WATTS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE5731A | 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS |
| MJE5730 | 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS |
| MJE800 | 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
| MJE802 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| MJE702 | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE5730_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
| MJE5730G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 375V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 375V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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