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參數資料
| 型號： | MJE9780AN |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | MJE9780AN |
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3–653
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Advance Information
PNP Silicon Power Transistor
The MJE9780 is designed for vertical output of 14–inch to 17–inch televisions and
CRT monitors, as well as other applications requiring a 150 volt PNP transistor.
Features:
Standard TO–220AB Package
Gain Range of 50 – 200 at 500 mAdc/10 volts
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
MJE9780
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO
150
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
200
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Collector Current — Peak
IC
ICM
3.0
5.0
Adc
Total Power Dissipation (TA = 25°C)
Derate above 25
°C
PD
2.0
0.016
Watts
W/
°C
Total Power Dissipation
Derate above 25
°C
PD
40
0.32
Watts
W/
°C
Operating and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to 150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance — Junction to Case
Thermal Resistance — Junction to Ambient
R
θJC
R
θJA
3.12
62.5
°C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8
″ from Case for 5 Seconds
TL
260
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS*
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 50 mA, IB = 0)
VCEO(sus)
°
150
°
—
Vdc
Collector–Base Voltage
(IC = 5.0 mAdc)
VCBO
200
—
Vdc
Emitter–Base Voltage
(IB = 5.0 mAdc)
VEBO
6.0
—
Vdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
10
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 150 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
10
Adc
* Indicates Pulse Test: P.W. = 300
sec max, Duty Cycle = 2%.
(continued)
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJE9780
PNP SILICON POWER
TRANSISTOR
3.0 AMPERES
150 VOLTS
*Motorola Preferred Device
*
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE9780BD | 3 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE9780BV | 3 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJH6286 | 20 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH6283 | 20 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH6282 | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJEC15033TR | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MJF122 | 功能描述:達林頓晶體管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJF122G | 功能描述:達林頓晶體管 5A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJF127 | 功能描述:達林頓晶體管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJF127G | 功能描述:達林頓晶體管 5A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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