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參數資料
| 型號： | MMBD6050-TP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | MMBD6050-TP |
Features
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Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
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www.
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Suggested Solder Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
imm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
omp
onents
20736 Marilla Street Chatsworth
M C C
TM
Micro Commercial Components
1 of 4
Revision: 5
2008/01/01
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6050 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBT200A-HIGH | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
| MMBTA63 | PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) |
| MMBTA63LT1 | Darlington Transistors |
| MMBTA63LT1 | Darlington Transistors(PNP Silicon) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBD6050-V | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode, Small Signal; 200 mA; 70 V (Min.) @ 25 degC(Reverse); 1.1 V (Max.); SOT-2 |
| MMBD6050-V_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode |
| MMBD6050-V-G-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-E3-G |
| MMBD6050-V-G-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-E3-G |
| MMBD6050-V-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 70 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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