型號: | MMBD7000LT3 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | Dual Switching Diode |
中文描述: | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
封裝: | CASE 318-08, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 58K |
代理商: | MMBD7000LT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBD7000LT3G | Dual Switching Diode |
MMBD701LT3 | Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
MMBD701LT3G | Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
MMBD701LT1G | Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
MMBD717LT1G | 20 VOLT SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBD7000LT3G | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD7000T | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD7000-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
MMBD7000-TP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD7000-V | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode, Dual |