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參數資料
型號: MMBF5457LT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: JFET - General Purpose Transistor
中文描述: 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數: 3/6頁
文件大小: 103K
代理商: MMBF5457LT1
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Typical Drain Characteristics
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Common Source Transfer
Characteristics
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Typical Drain Characteristics
VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Common Source Transfer
Characteristics
0
0
4
3
2
1
0
10
4
2
0
–7
–4
5
5
10
15
20
25
5
4
3
2
1
0
–5
8
6
–6
–5
–4
–3
–2
–1
–3
–2
–1
0
,
D
I
VDS = 15 V
VGS(off)
–5.8 V
,
D
I
,
D
I
,
D
I
VDS = 15 V
10
4
2
0
8
6
0
5
10
15
20
25
VGS(off)
–5.8 V
VGS = 0 V
VGS = 0 V
–2 V
–1 V
–3 V
–1 V
–2 V
–3 V
–4 V
–5 V
VGS(off)
–3.5 V
VGS(off)
–3.5 V
Note: Graphical data is presented for dc conditions. Tabular
data is given for pulsed conditions (Pulse Width = 630
ms, Duty Cycle = 10%). Under dc conditions, self heat-
ing in higher IDSS units reduces IDSS.
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