- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382338 > MMBT2222ATTD (ON SEMICONDUCTOR) General Purpose Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBT2222ATTD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | General Purpose Transistor |
| 中文描述： | 通用晶體管 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | MMBT2222ATTD |
MMBT2222ATT1
http://onsemi.com
5
Figure 11. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
V
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 10 V
Figure 12. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.5
0
+0.5
C
1.0
1.5
2.5
°
R
VC
for V
CE(sat)
R
VB
for V
BE
0.1
1.0 2.0
5.0
10 20
50
0.2
0.5
100 200
500 1.0 k
1.0 V
2.0
0.1
1.0 2.0
5.0
10
20
50
0.2
0.5
100 200
500
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906L | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT3904L | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT589LT1 | High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor |
| MMBTA28-7 | MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP |
| MMBTA28 | MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2222AT-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222AW | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Silicon General Purpose Transistor |
| MMBT2222AW_10 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR |
| MMBT2222AWT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222AWT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。