- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374466 > MMBT5551LT3 (ON SEMICONDUCTOR) High Voltage Transistors PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBT5551LT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 60 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | MMBT5551LT3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551LT3G | High Voltage Transistors |
| MMBT5551LT1 | High Voltage Transistors |
| MMBT5551 | |
| MMBT5551LT1 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| MMBT5551 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT5551LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LTG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT5551M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-723 GP NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。