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參數資料
| 型號： | MMBTA28D87Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 9/15頁 |
| 文件大小： | 870K |
| 代理商： | MMBTA28D87Z |
Typical Characteristics (continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
2
5
10
15
20
V
- COLLECTOR VOLTAGE(V)
CAP
AC
IT
AN
CE
(
p
F
)
C
f = 1.0 MHz
CE
ob
C ib
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
112.8
113
113.2
113.4
113.6
113.8
114
114.2
RESISTANCE (k
)
BV
-
BR
E
A
K
D
O
W
N
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
CE
R
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
1
10
20
50
100 150200
0
100
200
300
400
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-
G
A
IN
BA
ND
W
IDT
H
PRO
D
U
C
T
(
M
H
z
)
V
= 5V
C
T
ce
200 300
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
LL
E
C
TOR
C
U
R
E
N
T
(
n
A
)
A
CBO
°
V
= 80V
CB
Base-Emitt er Saturation
Voltage vs Collect or Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
(S
AT
)
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collect or Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
(
O
N
)
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
MPSA28
/
MMBT
A28
/
PZT
A28
NPN Darlington Transistor
(continued)
MPSA28/MMBTA28/PZTA28, Rev A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA42L34Z | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA42D26Z | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA42J18Z | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA42D74Z | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA42D75Z | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTA3904,215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| MMBTA42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA42 T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMBTA42,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA42 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 |
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