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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA42E |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | TRANSISTOR |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | MMBTA42E |
C
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
unit: mm
B E
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
E B
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors
MMBTA42E
TRANSISTOR
DESCRIPTION
NPN Epitaxial Silicon Transistor
FEATURES
Power dissipation P
CM
: 0.15 W (Tamb=25
℃
)
APPLICATION
High Voltage Amplifier
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,
DVD-ROM, Note book PC, etc.)
MARKING:1D
C
1D
B E
MAXIMUM RATINGS T
A
=25
℃
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
Collector-Base Voltage
310
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
305
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage
5
V
I
C
Collector Current -Continuous
300
mA
T
J
Junction Temperature
150
℃
℃
T
stg
Storage Temperature
-55-150
R
JA
Thermal Resistance, junction to Ambient
200
℃
/W
℃
/W
R
JC
Thermal Resistance, unction to Case
83.3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
Test conditions
I
C
= 100
μ
A, I
E
=0
I
C
= 1mA, I
B
=0
I
E
= 100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=200V, I
E
=0
V
CE
=200V, I
B
=0
V
CE
=300V, I
B
=0
V
EB
= 5V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CE
=10V, I
C
=10mA
V
CE
=10V, I
C
=30mA
I
C
=20mA, I
B
= 2mA
I
C
= 20mA, I
B
=2mA
V
CE
=20V, I
C
= 10mA
f=
30MHz
MIN
310
305
5
60
100
75
MAX
0.25
0.25
5
0.1
200
0.2
0.9
UNIT
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
Collector cut-off current
I
CEO
Emitter cut-off current
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
f
T
50
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA517 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR) |
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| MMBTA92E | TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA42LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA42LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA42LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBTA42LT1HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN 300V SOT-23 |
| MMBTA42LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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