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參數(shù)資料
| 型號： | MMDFS2P102R2 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 3.3 A, 20 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 751-05, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 389K |
| 代理商： | MMDFS2P102R2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDFS3P303R2 | 3500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDFS6N303R2 | 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDFS6N303 | 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMFT3055VT3G | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| MMFT3055VT3 | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMDFS3P303 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
| MMDFS3P303-D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
| MMDFS3P303R2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MMDFS6N303R2 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MMDJ3N03BJT | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications |
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