- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371126 > MMFR-29C516E-31SB (TEMIC SEMICONDUCTORS) 16 Bit Flow Through EDAC Error Detection And Correction unit PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMFR-29C516E-31SB |
| 廠商： | TEMIC SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 16 Bit Flow Through EDAC Error Detection And Correction unit |
| 中文描述： | CMOS SERIES, 16-BIT ERROR DETECT AND CORRECT CKT |
| 封裝： | MQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | MMFR-29C516E-31SB |
29C516E
6
Rev. D (09 Dec. 97)
6. Syndrome Decoding
The syndrome decoder generates the error flags CERR
(Correctable ERRor) and NCERR (Non–Correctable
ERRor). If a correctable error occurs, the 29C516E
EDAC provides corrected data to the user. The inputs are
the 8 syndrome bits from the syndrome generator, the 16
data bits from the memory and the control signal N22.
N22 signal controls if 22 or 24 bits shall be decode from
the entire memory word.
Table 4: 6–Bit Syndrome Word to Bit–In–Error (N22=”1”)
Hex
0
1
2
3
Syndrome Bit SY
[
..
]
5
0
0
1
1
4
0
1
0
1
Hex
3
2
1
0
0
0
0
0
0
N.E.D
MC4
MC5
D
1
0
0
0
1
MC0
D
D
MD7
2
0
0
1
0
MC1
D
D
MD11
3
0
0
1
1
D
MD8
MD6
D
4
0
1
0
0
MC2
D
D
MD15
5
0
1
0
1
D
MD5
MD12
D
6
0
1
1
0
D
MD9
M
D
7
0
1
1
1
M
D
D
M
8
1
0
0
0
MC3
D
D
M
9
1
0
0
1
D
M
MD13
D
A
1
0
1
0
D
MD10
MD14
D
B
1
0
1
1
MD4
D
D
M
C
1
1
0
0
D
MD2
MD3
D
D
1
1
0
1
MD0
D
D
M
E
1
1
1
0
MD1
D
D
M
F
1
1
1
1
D
M
M
D
Note :
N.E.D
= No Errors Detected
MDx = Memory Data Bit–In–Error
MCx = Memory Check Bit–In–Error
D = Double–Bit–In–Error Detected
M = Multi–Bit–In–Error Detected
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMKR-29C516E-31SB | 16 Bit Flow Through EDAC Error Detection And Correction unit |
| MMFT1N10E | MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS |
| MMFT1N10 | MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS |
| MMFT2N02EL | SPST, 150mA PC Mount Pushbutton |
| MMFT2N25E | SPST, 150mA PC Mount Pushbutton |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMFS4N01HDR2 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MMFS4P01HDR2 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MMFT107T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MMFT107T1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 250 mA, 200 Volts |
| MMFT107T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 250 mA, 200 Volts |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。