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參數資料
| 型號： | MPS2369 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching Transistors NPN Silicon(NPN型開關晶體管) |
| 中文描述： | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | MPS2369 |
Switching Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
15
Vdc
Collector–Emitter Voltage
40
Vdc
Collector–Base Voltage
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
4.5
Vdc
Collector Current — Continuous
200
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
200
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPS2369A
V(BR)CEO
15
—
—
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10
μ
Adc, VBE = 0)
MPS2369,A
V(BR)CES
40
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 Adc, IE = 0)
MPS2369,A
V(BR)CBO
40
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
MPS2369,A
V(BR)EBO
4.5
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 20 Vdc, IE = 0)
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, TA = 125
°
C)
MPS2369,A
ICBO
—
—
—
—
0.4
30
μ
Adc
Collector Cutoff Current
(VCE = 20 Vdc, VBE = 0)
MPS2369,A
ICES
—
—
0.4
μ
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
June, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
MPS2369/D
MPS2369
MPS2369A
*ON Semiconductor Preferred Device
CASE 29–11, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
*
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2907A | General Purpose Transistors PNP Silicon(通用晶體管（PNP）) |
| MPS3704 | NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MPS3705 | NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MPS3706 | NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MPS5179 | High Frequency Transistor NPN Silicon(NPN型高頻晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS2369A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369ARLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369ARLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369ASTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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