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參數資料
型號: MPS2907ARLRA
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述: 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 245K
代理商: MPS2907ARLRA
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS2907
MPS2907A
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
–40
–60
Vdc
Collector–Base Voltage
–60
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–600
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–500 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
MPS2907
MPS2907A
V(BR)CEO
–40
–60
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –10 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
–60
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = –30 Vdc, VEB(off) = –0.5 Vdc)
ICEX
–50
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
MPS2907
MPS2907A
MPS2907
MPS2907A
(VCB = –50 Vdc, IE = 0, TA = 150
°
C)
ICBO
–0.02
–0.01
–20
–10
μ
Adc
Base Current
(VCE = –30 Vdc, VEB(off) = –0.5 Vdc)
IB
–50
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Order this document
by MPS2907/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
*Motorola Preferred Device
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述
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