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參數資料
| 型號： | MPS6729 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Amplifier Transistor (PNP Silicon) |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-10, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MPS6729 |
MPS6729
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
-0.5
-0.7
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0
-7.0
-10
-20
-30
-50
-70
-100
-200
200
100
80
60
40
h
TJ = 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
VCE = -1.0 V
-300
-500
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.05
-0.1
-10
-1.0
TJ = 25
°
C
IC = -10 mA
-0.2
-0.5
-2.0
-5.0
-20
-50
-100 mA
-250 mA
-500 mA
-50
mA
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.5
TJ = 25
°
C
VBE(on) @ VCE = -1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(sat) @ IC/IB = 10
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
-500
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS6729G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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