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參數資料
| 型號： | MPSA55RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 12/36頁 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MPSA55RLRE |
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NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
2–620
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
hFE
100
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)
VCE(sat)
—
0.25
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
VBE(on)
—
1.2
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product(3)
(IC = 10 mA, VCE = 2.0 V, f = 100 MHz)
MPSA05
MPSA06
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc, f = 100 MHz)
MPSA55
MPSA56
fT
100
50
—
MHz
3. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
Figure 1. Switching Time Test Circuits
OUTPUT
TURN–ON TIME
–1.0 V
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0
mF
tr = 3.0 ns
0
+10 V
5.0
ms
OUTPUT
TURN–OFF TIME
+VBB
VCC
+40 V
RL
* CS t 6.0 pF
RB
100
Vin
5.0
mF
tr = 3.0 ns
5.0
ms
* Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors
For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA56RL | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA05RLRE | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA55RL | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA55ZL1 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA06RLRE | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSA55T3 | 制造商:National Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, BJT, PNP, 60V V(BR) CEO, 500MA I(C), TO-92, FORMED LEADS |
| MPSA55-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |
| MPSA55-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN MPSA05 PNP MPSA55 |
| MPSA56 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS-A56 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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