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參數資料
型號: MPSA70RL1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數: 1/37頁
文件大小: 490K
代理商: MPSA70RL1
2–658
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–40
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–40
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
ICBO
–100
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPSA70
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關PDF資料
PDF描述
MPSA92J18Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA92L34Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92D75Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92D27Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MMBTA92D87Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
MPSA70RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA70RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA75 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
MPSA75_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Transistors PNP Silicon
MPSA75RLRA 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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