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參數資料
| 型號： | MPSA70RL1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 32/37頁 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | MPSA70RL1 |
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MPSA70
2–661
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 6. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.003
h
,DC
CURRENT
GAIN
FE
TJ = 125°C
–55
°C
25
°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 7. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 8. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*
qVC for VCE(sat)
qVB for VBE
0.1
0.2
0.5
MPSA70
Figure 9. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
0.002
TA = 25°C
MPSA70
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 10. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
PULSE WIDTH = 300
s
DUTY CYCLE
≤ 2.0%
IB = 400 A
350
A
300
A
250
A
200
A
*APPLIES for IC/IB ≤ hFE/2
25
°C to 125°C
–55
°C to 25°C
25
°C to 125°C
–55
°C to 25°C
40
60
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.4
0.8
0
1.6
0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
150
A
100
A
50
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA92J18Z | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA92L34Z | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92D75Z | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92D27Z | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTA92D87Z | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSA70RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA70RLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA75 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| MPSA75_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Transistors PNP Silicon |
| MPSA75RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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