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參數資料
型號: MPSA70RL
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數: 12/37頁
文件大小: 490K
代理商: MPSA70RL
MPSA70
2–659
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –5.0 mAdc, VCE = –10 Vdc)
hFE
40
400
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
VCE(sat)
–0.25
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = –5.0 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
125
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
4.0
pF
相關PDF資料
PDF描述
MPSA70RL1 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92J18Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA92L34Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92D75Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92D27Z 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
MPSA70RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA70RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA75 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
MPSA75_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Transistors PNP Silicon
MPSA75RLRA 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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