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參數資料
| 型號： | MPSA70RLRMG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistor PNP Silicon |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MPSA70RLRMG |
MPSA70
http://onsemi.com
3
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C)
Figure 1. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
3.0
Figure 2. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
1.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
10k
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
≈
0
I
C
= 10 A
100 A
e
I
30 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
≈ ∞
I
C
= 1.0 mA
300 A
100 A
30 A
10 A
10
20
50
100
200
500
1.0k 2.0k
5.0k
10k
2.0
1.0 mA
0.2
300 A
500k
100
200
500
1.0k
10k
5.0k
20k
50k
100k
200k
2.0k
1.0M
500k
100
200
500
1.0k
10k
5.0k
20k
50k
100k
200k
2.0k
1.0M
Figure 3. Narrow Band, 100 Hz
I
C
, COLLECTOR CURRENT ( A)
Figure 4. Narrow Band, 1.0 kHz
I
C
, COLLECTOR CURRENT ( A)
10
0.5 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
R
Figure 5. Wideband
I
C
, COLLECTOR CURRENT ( A)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
Noise Figure is Defined as:
NF
20 log10
en2
4KTRS
4KTRS
In2RS2
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 10
23
j/
°
K)
= Temperature of the Source Resistance (
°
K)
= Source Resistance (Ohms)
e
n
I
n
K
T
R
S
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
20
30
50 70
100
200 300
500 700 1.0k
10
20
30
50 70
100
200 300
500 700 1.0k
500k
100
200
500
1.0k
10k
5.0k
20k
50k
100k
200k
2.0k
1.0M
20
30
50
70
100
200 300
500 700 1.0k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
5.0 dB
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
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