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參數資料
| 型號： | MPSH10J18Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 11/14頁 |
| 文件大小： | 738K |
| 代理商： | MPSH10J18Z |
3
Test Circuits
0.8-10 pF
1000 pF
2.0 pF
1000 pF
100 pF
0.8-10 pF
5.0-18 pF
1000 pF
2.0 K
10 K
680
T1
Input
50
L1
L2
TUM
V
CC
= 12 V
L1 - L3 turns No. 16 wire, 1/2 inch L x 1/4 inch ID
tapped 1 1/2 turns from cold side
L2 - L6 turns No. 14 wire, 1 inch L x 1/4 inch ID
tapped 1 1/2 turns from cold side
T1 - Pri. 1 turn No. 16 wire
Sec. 1 turn No. 18 wire
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
(continued)
1000 pF
(NOTE 2)
175 pF
50 pF
2.2 K
- V
ee
RFC
(NOTE 1)
RFC
500 mHz Output
into 50
V
CC
NOTE 1: 2 turns No. 16 AWG wire, 3/8 inch OD, 1 1/4 inch long
NOTE 2: 9 turns No. 22 AWG wire, 3/16 inch OD, 1/2 inch long
FIGURE 1: Neutralized 200 MHz PG and NF Circuit
FIGURE 2: 500 MHz Oscillator Circuit
V
BB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH10D75Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10D27Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTH10D87Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH10D26Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH10J05Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSH10L-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH10L-X-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH10P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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