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參數資料
| 型號： | MPSH32 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁|到92 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | MPSH32 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH37 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92 |
| MPSC-01-80-01-7.70-01-L-V | 82 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| MPTC-04-80-02-6.30-01-L-V | 86 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| MPX4250AP | INTEGRATED PRESSURE SENSOR 20 to 250 kPa (2.9 to 36.3 psi) 0.2 to 4.9 V OUTPUT |
| MPX4250AS | INTEGRATED PRESSURE SENSOR 20 to 250 kPa (2.9 to 36.3 psi) 0.2 to 4.9 V OUTPUT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSH34 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH34_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Radio Freq Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH34_D75Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH34_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH37 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92 |
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