- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98036 > MRF19085LR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MRF19085LR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 403K |
| 代理商： | MRF19085LR3 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF19085LR3 MRF19085LSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (In Freescale Test Fixture)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
Gps
—
13
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
—
36
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
—
-31
—
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 850 mA, f = 1930 MHz and
1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
—
-12
—
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 850 mA, f = 1990 MHz)
P1dB
—
90
—
W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19085SR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF19085R3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF19120S | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF19125R3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF19125SR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF19085LR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF19085LSR3 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF19085R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF19085SR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF19090 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。