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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF5812 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | MRF5812 |
MSC1319.PDF 10-25-99
MRF5812, R1, R2
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units
R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units
DESCRIPTION
Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Value
15
30
2.5
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 25oC
Derate above 25oC
1.25
10
Watts
mW/ o
C
SO-8
Features
Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz
Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
Cost Effective SO-8 package
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5812R1 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5812R2 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF581 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF581A | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF904 | 2 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5812G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF5812GR1 | 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF5812GR2 | 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF5812LF | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF5812LFR1 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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