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參數(shù)資料
| 型號： | MRFG35005MT1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 466-03, PLD-1.5, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MRFG35005MT1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
Replaced by MRFG35005NT1. There are no form, fit or function changes with this part
replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free
terminations.
MRFG35005MT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
linear base station applications.
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 80 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 450 mWatt
Power Gain — 11 dB
Efficiency — 25%
4.5 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
10.5 (2)
0.07 (2)
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
30
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +85
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Class AB
RθJC
14.2 (2)
°C/W
Table 3. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
1
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Simulated.
Document Number: MRFG35005MT1
Rev. 3, 1/2006
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 4.5 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35005MT1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35010AR5 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010R1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRFG35005MT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35005NR5 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35005NT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35010 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
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