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參數資料
| 型號： | MRFG35010R1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 367K |
| 代理商： | MRFG35010R1 |
MRFG35010R1 replaced by MRFG35010AR1.
MRFG35010R1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from
1800 to 3600 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or
Class A linear base station applications.
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 1 Watt
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 30%
10 Watts P1dB @ 3550 MHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
28.3
0.19
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
33
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +175
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +90
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Class A
Class AB
RθJC
5.3
4.8
°C/W
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
Document Number: MRFG35010
Rev. 9, 1/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 10 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35010R1
CASE 360D-02, STYLE 1
NI-360HF
Freescale Semiconductor, Inc., 2008. All rights reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35010 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MSA1022-CT1 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSA1022-CT3 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRFG35010R5 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35020AR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFG35020AR5 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| MRFG35030R5 | 功能描述:MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFIC0001 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT |
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