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參數資料
| 型號： | MSG36E41 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SiGe HBT type |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | MSG36E41 |
MSG36E41
5
SJC00319BED
0
2
1
3
4
5
6
0
10
12
14
2
4
6
8
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
B
=
10
μ
A step
70
μ
A
80
μ
A
50
μ
A
40
μ
A
30
μ
A
20
μ
A
10
μ
A
60
μ
A
1
0.1
10
100
100
120
140
160
180
20
40
60
80
Collector current I
C
(mA)
F
F
0
V
CE
=
3 V
1
10
100
0
25
5
10
15
20
Collector current I
C
(mA)
T
T
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0
6
5
4
1
3
2
C
o
f
=
1 MHz
0.1
10
1
100
10
5
0
5
10
15
Collector current I
C
(mA)
P
P
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz
1
10
100
0
10
12
14
2
4
6
8
Collector current I
C
(mA)
F
S
2
2
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz
0.1
1
10
100
0
5
6
7
1
2
3
4
Collector current I
C
(mA)
N
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz
V
CE
=
3 V
I
C
=
10 mA
0.5
0.3
0
1.0
2.0
S
11
S
22
2.0
1.0
0.5
∞
1.0
3.0
Characteristics charts of Tr2
C
ob
V
CB
G
P
I
C
S
21e
2
I
C
I
C
V
CE
h
FE
I
C
f
T
I
C
NF
I
C
S
11
, S
22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSG43004 | SiGe HBT type For low-noise RF amplifier |
| MSK103 | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
| MSK103B | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
| MSK3001 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| MSK3002 | H-BRIDGE MOSFET POWER MODULE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MSG43001 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SiGe HBT type For low-noise RF amplifier |
| MSG43004 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SiGe HBT type For low-noise RF amplifier |
| MSGB39WP | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:HIGH EFF.RED/GREEN DUAL COLOR LAMP |
| MSGB48TA | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:RED/GREEN LAMP |
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