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參數資料
| 型號： | MT28F640J3BS-12MET |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數： | 1/54頁 |
| 文件大小： | 587K |
| 代理商： | MT28F640J3BS-12MET |
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PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY
MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON’S PRODUCTION DATA SHEET SPECIFICATIONS.
09005aef80b5a323
MT28F640J3_J.fm – Rev. J 2/26/04 EN
1
2004 Micron Technology, Inc.
128Mb, 64Mb, 32Mb
Q-FLASH MEMORY
Q-FLASH
MEMORY
MT28F128J3, MT28F640J3,
MT28F320J3
Features
Memory Organization
x8/x16
One hundred twenty-eight 128KB erase blocks
(128Mb)
Sixty-four 128KB erase blocks (64Mb)
Thirty-two 128KB erase blocks (32Mb)
VCC, VCCQ, and VPEN voltages:
2.7V to 3.6V VCC operation
2.7V to 3.6V, or 5V VPEN application programming
Interface Asynchronous Page Mode Reads:
150ns/25ns or 120ns/25ns read access time (128Mb)
120ns/25ns or 115ns/25ns read access time (64Mb)
110ns/25ns read access time (32Mb)
Manufacturing ID (ManID)
Intel (0x89h)
Micron (0x2Ch)
Industry-standard pinout
Inputs and outputs are fully TTL-compatible
Common Flash Interface (CFI) and
Scalable Command Set
Automatic write and erase algorithm
5.6s-per-byte effective programming time using write
buffer
128-bit protection register
64-bit unique device identifier
64-bit user-programmable OTP cells
Enhanced data protection feature with VPEN = VSS
Flexible sector locking
Sector erase/program lockout during power
transition
Security OTP block feature
Permanent block locking
(Contact factory for availability)
100,000 ERASE cycles per block
Automatic suspend options:
Block Erase Suspend-to-Read
Block Erase Suspend-to-Program
Program Suspend-to-Read
Figure 1: 56-Pin TSOP Type I
Figure 2: 64-Ball FBGA
Part Number Example:
MT28F640J3RG-12ET
Marking
Timing
110ns (32Mb)
115ns (64Mb)
120ns (64Mb)
120ns (128Mb)
-11
-115
-12
Operating Temperature Range
Extended Temperature
(-40°C to +85°C)
ET
Packages
56-pin (Standard) TSOP Type I
56-pin (Lead-free) TSOP Type I
64-ball (Standard) FBGA (1.00mm
pitch)
64-ball (Lead-free) FBGA (1.00mm
pitch)
RG
RP
FS
BS
Manufacturing ID (ManID)
Intel (0x89h)
Micron (0x2Ch)
None
M
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT29F4G08FABWGXXXXET | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| MT2LSYT3272T1G-11P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 11 ns, DMA160 |
| MT2LSYT3272T1G-12P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 12 ns, DMA160 |
| MT333X | GENERAL PURPOSE AUDIO CONNECTOR, JACK |
| MT36JBZS51272PIY-1G3XX | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT28F640J3FS-11 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY |
| MT28F640J3FS-115 ET | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND Flash Parallel 3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 115ns 64-Pin FBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA |
| MT28F640J3FS-115 ET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| MT28F640J3FS-115 GMET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3FS-115 GMET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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