- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371151 > MTD3055E (MOTOROLA INC) TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MTD3055E |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount |
| 中文描述： | 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | MTD3055E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD4P05 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD4P06 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD5N05 | Power Field Effect Transistors |
| MTD5N05-1 | Power Field Effect Transistors |
| MTD5N06 | Power Field Effect Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTD3055E1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount |
| MTD3055EL | 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA |
| MTD3055ELT4 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:3055ELT4 |
| MTD3055V | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTD3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。