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參數資料
| 型號： | MUBW15-06A6 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Converter - Brake - Inverter Module (CBI1) |
| 中文描述： | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-25 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | MUBW15-06A6 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 8
MUBW 15-06 A6
Output Inverter T1 - T6, D1 - D6
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C; R
GE
= 20k
600
V
600
V
V
GE
T
VJ
= 25°C
±20
V
I
C
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
18
10
A
A
I
CM
t
p
= 1 ms = 1% duty cycle;
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
36
20
A
A
t
SC
IGBT V
= 600 V; T
VJ
= 125°C
non-repetitive
10
μs
P
tot
T
C
= 25°C
61
W
T
VJ
T
VJ
Free-Wheeling Diode
IGBT
+150
+150
°C
°C
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
CES
V
GE
= 0 V; V
CE
= 600 V
1
mA
I
GES
V
CE
= 0 V; V
GE
= 25 V
100
nA
V
GE(th)
V
GE
= V
CE
; I
C
= 0.35 mA
4.5
5.5
6.5
V
V
(BR)CES
V
GE
= 0 V; I
C
= 10 mA; T
VJ
= -40°C
600
V
V
CE(sat)
V
GE
= 15 V; I
C
= 10 A;T
VJ
= 25°C
2.1
2.4
2.5
2.8
V
V
T
VJ
= 125°C
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
E
off
E
on
25
25
ns
ns
35
250
ns
ns
0.38
0.58
mJ
mJ
C
iss
C
oss
C
rss
570
80
55
pF
pF
pF
g
fs
V
CE
= 20 V; I
C
= 10 A
3
S
Q
g
V
CC
= 300 V; I
C
= 10 A pulse; V
GE
= 15 V
39
C
V
F
I
F
= 10 A; V
GE
= 0 V; T
VJ
= 25°C
2
V
V
T
VJ
= 125°C
1.8
t
rr
I
F
= 10 A; V
= -300 V; V
= 0 V
di
F
/dt = -350 A/μs; T
VJ
= 100°C
0.2
μs
Q
r
I
F
= 10 A; V
= -300 V;
di
F
/dt = -350 A/μs; V
GE
= 0 V; T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
0.3
0.9
μC
μC
I
r
250
μA
R
thJC
IGBT
Diode
(per die)
(per die)
1.7
2.3
°C/W
°C/W
Inductive load, T
= 125°C
V
CC
= 300 V; I
C
= 10 A
R
G
= 100 ; V
GE
= ±15 V
V
GE
= 0 V
V
= 25 V
f = 1 MHz
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