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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUBW25-12A7 |
| 廠(chǎng)商： | IXYS CORP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Converter - Brake - Inverter Module |
| 中文描述： | 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | MUBW25-12A7 |
2001 IXYS All rights reserved
7 - 8
MUBW 25-12 A7
Fig. 13 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 14 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 15 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.16 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 17 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 18 Typ. transient thermal impedance
0
20
40
I
C
60
0
5
10
15
0
50
100
150
0
20
40
60
0
4
8
12
0
200
400
600
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
0
200
400
600
800
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
0
40
80
120
160
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 47
T
VJ
= 125
°
C
MUBW2512A7
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 25A
T
VJ
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
V
CE
0
20
40
60
R
G
= 47
T
VJ
= 125
°
C
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 47
T
VJ
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 25
T
VJ
= 125
°
C
d(on)
r
E
off
d(off)
f
E
on
d(on)
r
E
off
d(off)
f
A
I
C
A
E
off
E
on
t
t
R
G
R
G
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
A
mJ
ns
ns
mJ
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUBW30-12A6 | Converter - Brake - Inverter Module |
| MUBW50-06A8 | Converter - Brake - Inverter Module (CBI3) |
| MUN2134T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2111T3G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2115T1G | Bias Resistor Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUBW25-12T7 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW30-06A7 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW30-12A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MUBW30-12A6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW30-12E6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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