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參數資料
| 型號： | MUN2131T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數： | 10/13頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | MUN2131T1G |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
10
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2133T1
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Figure 28. V
CE(sat)
versus I
C
Figure 29. DC Current Gain
Figure 30. Output Capacitance
Figure 31. Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 32. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
50
40
20
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.001
1000
V
C
,
h
F
,
6
45
50
40
30
20
10
0
0
C
o
,
2
4
8
100
6
5
4
3
2
1
0
0.001
1
10
I
C
,
10
9
8
7
10
30
20
10
0
0.1
1
40
50
V
i
,
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
= 25
°
C
0.01
35
25
15
5
0.01
0.1
30
5
1
3
7
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 10 V
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2133T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2136T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2137T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2140T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2137T1 | DIODE ZENER SINGLE 150mW 27Vz 2mA-Izt 0.0704 0.1uA-Ir 18.9 SOT-523 3K/REEL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MUN2132T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2132T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2132T3 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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