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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2131T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | MUN2131T1G |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
ON CHARACTERISTICS
(Note 4)
Output Voltage (off)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V, R
L
= 1.0 k )
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2130T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2140T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V, R
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V, R
L
= 1.0 k )
V
OH
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
Vdc
Input Resistor
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2136T1
MUN2137T1
MUN2140T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
70
32.9
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
100
47
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
130
61.1
61.1
k
Resistor Ratio
MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1/
MUN2136T1
MUN2114T1
MUN2115T1/MUN2116T1/MUN2140T1
MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
MUN2137T1
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
1.7
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
2.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
2.6
4. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%.
Figure 1. Derating Curve
350
200
150
100
50
0
50
0
50
100
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (5
°
C)
P
D
P
R
JA
= 370
°
C/W
250
300
LOAD
+12 V
Figure 2. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2133T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2136T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2137T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2140T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2137T1 | DIODE ZENER SINGLE 150mW 27Vz 2mA-Izt 0.0704 0.1uA-Ir 18.9 SOT-523 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2132 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2132RT1 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2132T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2132T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2132T3 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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