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參數資料
| 型號： | MX0912B251Y |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 封裝： | MX0912B251Y<SOT439A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT439A.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | MX0912B251Y |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of November 1994
1997 Feb 19
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MX0912B251Y
NPN microwave power transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B251Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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