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參數(shù)資料
型號(hào): MX0912B351Y
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
封裝: MX0912B351Y<SOT439A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT439A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù): 1/12頁(yè)
文件大小: 76K
代理商: MX0912B351Y
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of November 1994
1997 Feb 19
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MX0912B351Y
NPN microwave power transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX0912B351Y NPN microwave power transistor
MX0912B351Y NPN microwave power transistor
MX0912B351Y NPN microwave power transistor
MZ0912B100Y NPN microwave power transistors
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX0912B351Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MX0912B351Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MX0912B351Y114 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
MX1 制造商:METRIX 功能描述:ANALOGUE METER 制造商:METRIX 功能描述:MULTIMETER ANALOG 8 FUNCTIONS 制造商:METRIX 功能描述:MULTIMETER, ANALOG, 8 FUNCTIONS 制造商:METRIX 功能描述:MULTIMETER, ANALOG, 8 FUNCTIONS, Voltage Measuring Range DC:150mV to 1V, Voltage
MX-1 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE
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