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參數(shù)資料
| 型號： | NAND04GA3C2AN1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/51頁 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | NAND04GA3C2AN1E |
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November 2006
Rev 2
1/51
1
NAND04GA3C2A
NAND04GW3C2A
4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
Features
■
High density multi-level Cell (MLC) NAND
Flash memories:
– Up to 128 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
■
NAND interface
– x8 bus width
– Multiplexed Address/ Data
■
Supply voltages
– V
DD
= 2.7 to 3.6V core supply voltage for
Program, Erase and Read operations.
– V
DDQ
= 1.7 to 1.95 or 2.7 to 3.6V for I/O
buffers.
■
Page size: (2048 + 64 spare) Bytes
■
Block size: (256K + 8K spare) Bytes
■
Page Read/Program
– Random access: 60μs (max)
– Sequential access: 60ns(min)
– Page Program Operation time: 800μs (typ)
■
Cache Read mode
– Internal Cache Register to improve the
read throughput
■
Fast Block Erase
– Block erase time: 1.5ms (typ)
■
Status Register
■
Electronic Signature
■
Serial Number option
■
Chip Enable ‘don’t care’
– for simple interface with microcontroller
■
Data Protection
– Hardware Program/Erase locked during
power transitions
■
Embedded Error Correction Code (ECC)
– Internal ECC accelerator
– Easy ECC Command Interface
■
Data integrity
– 10,000 Program/Erase cycles (with ECC)
– 10 years Data Retention
■
ECOPACK
package available
■
Development tools
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
TSOP48 12 x 20mm
Table 1.
Product List
Reference
Part Number
Density
NAND04Gx3C2A
NAND04GA3C2A
4 Gbits
NAND04GW3C2A
www.st.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GA3C2AN6F | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| NAND04GW3C2AN6E | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| NAND128R3A2AZA1 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W3A0AV6 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND256R3A0AZB6 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR3B2DN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND04GR3B2DZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GR3B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR3B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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