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參數資料
| 型號： | NAND128W4A0CZA6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數： | 18/57頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND128W4A0CZA6E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
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Table 6. Address Insertion, x8 Devices
Note: 1. A8 is set Low or High by the 00h or 01h Command, see
Pointer Operations
section.
2. Any additional address input cycles will be ignored.
3. The 4th cycle is only required for 512Mb and 1Gb devices.
Table 7. Address Insertion, x16 Devices
Note: 1. A8 is Don’t Care in x16 devices.
2. Any additional address input cycles will be ignored.
3. The 01h Command is not used in x16 devices.
4. The 4th cycle is only required for 512Mb and 1Gb devices.
Table 8. Address Definitions
Bus Cycle
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1
st
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2
nd
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
3
rd
A24
A23
A22
A21
A20
A19
A18
A17
4
th(4)
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
A26
A25
Bus
Cycle
I/O8-
I/O15
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
1
st
X
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
2
nd
X
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
3
rd
X
A24
A23
A22
A21
A20
A19
A18
A17
4
th(4)
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
A26
A25
Address
Definition
A0 - A7
Column Address
A9 - A26
Page Address
A9 - A13
Address in Block
A14 - A26
Block Address
A8
A8 is set Low or High by the 00h or 01h Command, and is
Don’t Care in x16 devices
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128R4A2BZA1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128R3A2BV1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W4A0CV6T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A0BN6E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
| NAND16GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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