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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND128W4A0CZA6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 29/57頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND128W4A0CZA6E |
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29/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Table 11. Status Register Bits
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes two steps are re-
quired:
1.
first use one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
then perform two Bus Read operations – the
first will read the Manufacturer Code and the
second, the Device Code. Further Bus Read
operations will be ignored.
Refer to
Table 12., Electronic Signature
, for infor-
mation on the addresses.
Table 12. Electronic Signature
Bit
Name
Logic Level
Definition
SR7
Write Protection
'1'
Not Protected
'0'
Protected
SR6
Program/ Erase/ Read
Controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
SR5, SR4,
SR3, SR2, SR1
Reserved
Don’t Care
SR0
Generic Error
‘1’
Error – operation failed
‘0’
No Error – operation successful
Part Number
Manufacturer
Code
Device code
NAND128R3A
20h
33h
NAND128W3A
73h
NAND128R4A
0020h
0043h
NAND128W4A
0053h
NAND256R3A
20h
35h
NAND256W3A
75h
NAND256R4A
0020h
0045h
NAND256W4A
0055h
NAND512R3A
20h
36h
NAND512W3A
76h
NAND512R4A
0020h
0046h
NAND512W4A
0056h
NAND01GR3A
20h
39h
NAND01GW3A
79h
NAND01GR4A
0020h
0049h
NAND01GW4A
0059h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128R4A2BZA1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128R3A2BV1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W4A0CV6T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A0BN6E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
| NAND16GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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