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參數資料
型號： NAND256R3A0AZB6
廠商： 意法半導體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數： 21/57頁
文件大小： 916K
代理商： NAND256R3A0AZB6
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 12. Pointer Operations for Programming
ai07591
I/O
Inputs
Data Input
10h
80h
Areas A, B, C can be programmed depending on how much data is input. Subsequent 00h commands can be omitted.
AREA A
00h
Inputs
Data Input
10h
80h
00h
I/O
Inputs
Data Input
10h
80h
Areas B, C can be programmed depending on how much data is input. The 01h command must be re-issued before each program.
AREA B
01h
Inputs
Data Input
10h
80h
01h
I/O
Inputs
Data Input
10h
80h
Only Areas C can be programmed. Subsequent 50h commands can be omitted.
AREA C
50h
Inputs
Data Input
10h
80h
50h
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