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參數資料
型號: NAND256R3A0AZB6
廠商: 意法半導體
英文描述: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述: 128兆,256兆,512兆位,1千兆位(x8/x16)528 Byte/264字的頁面,1.8V/3V,NAND閃存芯片
文件頁數: 23/57頁
文件大小: 916K
代理商: NAND256R3A0AZB6
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 13. Read (A,B,C) Operations
Figure 14. Read Block Diagrams
Note: 1. Highest address depends on device density.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
00h/
01h/ 50h
ai07595
Busy
Command
Code
Address Input
Data Output (sequentially)
tBLBH1
(read)
AI07596
A0-A7
A9-A26(1)
Area A
(1st half Page)
Read A Command, X8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
A0-A7
Read A Command, X16 Devices
A0-A7
Read B Command, X8 Devices
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Read C Command, X8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
A9-A26(1)
A9-A26(1)
A9-A26(1)
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
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PDF描述
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