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參數資料
型號: NAND512R3A2BZA1F
廠商: 意法半導體
英文描述: 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述: 128兆,256兆,512兆位,1千兆位(x8/x16)528 Byte/264字的頁面,1.8V/3V,NAND閃存芯片
文件頁數: 39/57頁
文件大小: 410K
代理商: NAND512R3A2BZA1F
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 23. Command Latch AC Waveforms
Figure 24. Address Latch AC Waveforms
Note: Address cycle 4 is only required for 512Mb and 1Gb devices.
ai08028
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWL
(CL Setup time)
tELWL
(E Setup time)
tWHCLL
(CL Hold time)
tWHEH
(E Hold time)
tWLWH
tALLWL
(ALSetup time)
tWHALH
(AL Hold time)
Command
tDVWH
tWHDX
(Data Hold time)
(Data Setup time)
ai08029
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
(E Setup time)
tWLWL
(CL Setup time)
tWHWL
tALHWL
(AL Setup time)
(Data Setup time)
tWLWL
tWLWL
tWLWH
tWLWH
tWLWH
tWHWL
tWHWL
(Data Hold time)
(AL Hold time)
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
cycle 1
tWHALL
Adrress
cycle 4
cycle 3
Adrress
cycle 2
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PDF描述
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NAND512R4A0CZA1T 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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