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參數資料
| 型號： | NAND512R3A2CZA6T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數： | 1/57頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND512R3A2CZA6T |
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February 2005
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
–
Up to 1 Gbit memory array
–
Up to 32 Mbit spare area
–
Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
–
x8 or x16 bus width
–
Multiplexed Address/ Data
–
Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
–
1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
–
3.0V device: V
DD
= 2.7 to
3.6V
PAGE SIZE
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
–
x16 device: (256 + 8 spare) Words
BLOCK SIZE
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
–
x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
–
Random access: 12μs (max)
–
Sequential access: 50ns (min)
–
Page program time: 200μs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
–
Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
–
Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
–
Simple interface with microcontroller
SERIAL NUMBER OPTION
HARDWARE DATA PROTECTION
–
Program/Erase locked during Power
transitions
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■
Figure 1. Packages
■
DATA INTEGRITY
–
100,000 Program/Erase cycles
–
10 years Data Retention
RoHS COMPLIANCE
–
Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
DEVELOPMENT TOOLS
–
Error Correction Code software and
hardware models
–
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
–
File System OS Native reference software
–
Hardware simulation models
■
■
TSOP48 12 x 20mm
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm
FBGA
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R4A0CZA1 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A0CZA1T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND128W3A0CZB1 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W4M5CZC5E | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND512R4M2CZB5E | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R3A2DZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND512R3A2SE06 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R3A2SN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND512R3A2SN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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