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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND512R3A2CZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/57頁(yè) |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND512R3A2CZA6T |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Table 20. AC Characteristics for Command, Address, Data Input
Note: 1. If t
ELWL
is less than 10ns, t
WLWH
must be minimum 35ns, otherwise, t
WLWH
may be minimum 25ns.
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
1.8V
Devices
3V
Devices
Unit
t
ALLWL
t
ALS
Address Latch Low to Write Enable Low
AL Setup time
Min
0
0
ns
t
ALHWL
Address Latch High to Write Enable Low
t
CLHWL
t
CLS
Command Latch High to Write Enable Low
CL Setup time
Min
0
0
ns
t
CLLWL
Command Latch Low to Write Enable Low
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
20
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
E Setup time
Min
0
0
ns
t
WHALH
t
ALH
Write Enable High to Address Latch High
AL Hold time
Min
10
10
ns
t
WHALL
Write Enable High to Address Latch Low
t
WHCLH
t
CLH
Write Enable High to Command Latch High
CL hold time
Min
10
10
ns
t
WHCLL
Write Enable High to Command Latch Low
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
10
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
E Hold time
Min
10
10
ns
t
WHWL
t
WH
Write Enable High to Write Enable Low
W High Hold
time
Min
20
15
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
W Pulse Width
Min
40
25
(1)
ns
t
WLWL
t
WC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time
Min
60
50
ns
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PDF描述 |
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