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參數資料
| 型號： | NAND512R4A0CZA1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數： | 41/57頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND512R4A0CZA1T |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 27. Read Status Register AC Waveform
Figure 28. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: Refer to
Table 12.
for the values of the Manufacturer and Device Codes.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
(Data Hold time)
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08032
(Data Setup time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
Manufacturer and
Device Codes
ai08039b
(Read ES Access time)
tALLRL1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W3A0CZB1 | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W4M5CZC5E | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND512R4M2CZB5E | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND512W3M5BZB5F | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAS-xxx | SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R4A2CZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays |
| NAND512R4A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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