- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361075 > NAND512R4M2CZB5E (意法半導體) 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP PDF資料下載
參數資料
| 型號： | NAND512R4M2CZB5E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 存儲器模塊 |
| 英文描述： | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| 中文描述： | 同一封裝內整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節頁）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP |
| 文件頁數： | 8/23頁 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | NAND512R4M2CZB5E |
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
8/23
Table 2.
Signal Names: NAND Flash & 1 x SDR LPSDRAM
NAND Flash
I/O0-I/O7
Data Inputs/Outputs for x8 devices
I/O8-I/O15
Data Inputs/Outputs for x16 devices
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
F
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
F
Write Enable
WP
Write Protect
V
DDF
Supply Voltage
V
SSF
Ground
SDR LPSDRAM
A0-A12
Row Address: RA0-RA11
Column Address: CA0-CA8
Auto-precharge flag: A10
BA0-BA1
Bank Address
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
E
D
Chip Select inputs
W
D
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
Upper DQ Mask Enable Output
DQM1
Lower DQ Mask Enable Output
V
DDD
Supply Voltage
V
DDQD
Input/Output Supply Voltage
V
SSD
Ground
V
SSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3M5BZB5F | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAS-xxx | SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR |
| NASxxx | SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR |
| NAS1581 | 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT |
| NAS1581-10 | 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel |
| NAND512W3A0AV6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND512W3A2BE06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。