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參數資料
| 型號： | NAND512W3M5BZB5F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 存儲器模塊 |
| 英文描述： | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| 中文描述： | 同一封裝內整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節頁）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP |
| 文件頁數： | 12/23頁 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | NAND512W3M5BZB5F |
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
12/23
Table 4.
Signal Names - NAND Flash & DDR LPSDRAM
NAND Flash
I/O0-I/O15
Data Inputs/Outputs
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
F
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
F
Write Enable
WP
Write Protect
V
DDF
Supply Voltage
V
SSF
Ground
DDR LPSDRAM
A0-A12
Address Inputs
A10 determines the Precharge mode.
BA0-BA1
Bank Select Inputs
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs
UDQS-LDQS
Data Strobe Inputs/Outputs
K
Clock Input
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
E
D
Chip Select inputs
W
D
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
DQ Mask Enable Input (controls DQ0-DQ7)
DQM1
DQ Mask Enable Input (controls DQ8-DQ15)
V
DDD
Supply Voltage
V
DDQD
Input/Output Supply Voltage
V
SSD
Ground
V
SSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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