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參數資料
| 型號： | NAND512W3M5BZB5F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 存儲器模塊 |
| 英文描述： | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| 中文描述： | 同一封裝內整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節頁）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP |
| 文件頁數： | 20/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | NAND512W3M5BZB5F |
Package Mechanical
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
20/23
Figure 10.
TFBGA137 10.5x13mm - 10x13 active ball array, 0.8mm pitch- Bottom Outline
1.
Subject to change without prior notice.
TFBGA137 10.5x13mm - 10x13 active ball array, 0.80mm pitch
E
D
e
b
SD
A1
A2
A
BGA-Z83
ddd
FD
D1
E1
e
FE
BALL "B1"
Table 9.
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.047
A1
0.25
0.010
A2
0.80
0.031
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
10.50
10.40
10.60
0.413
0.409
0.417
D1
7.20
0.283
E
13.00
12.90
13.10
0.512
0.508
0.516
E1
11.20
0.441
e
0.80
–
–
0.031
–
–
FD
1.65
0.065
FE
0.90
0.035
SD
0.40
–
–
0.016
–
–
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAS-xxx | SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR |
| NASxxx | SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR |
| NAS1581 | 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT |
| NAS1581-10 | 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT |
| NAS1581-3 | 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NAND512W4A0AN6E | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W4A0AZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays |
| NAND64GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND64GW3FGAZN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel |
| NAND98R3M0CZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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