參數資料
| 型號： | NBSG86ABAR2 |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數： | 13/17頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART GATE SIGE DIFF 16FCBGA |
| 產品變化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 標準包裝： | 1 |
| 邏輯類型： | 可配置多功能 |
| 電路數： | 2 |
| 輸入數： | 2 |
| 施密特觸發器輸入： | 無 |
| 輸出類型： | 差分 |
| 電源電壓： | 2.375 V ~ 3.465 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-LBGA，FCBGA |
| 供應商設備封裝： | 16-FCBGA（4x4） |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | NBSG86ABAR2OSDKR |
NBSG86A
http://onsemi.com
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Table 7. Interfacing Options
INTERFACING OPTIONS
CONNECTIONS
CML
Connect VTD0, VTD1, VTSEL and VTD0, VTD1 to VCC
LVDS
Connect VTD0, VTD1, VTD0 and VTD1 together. Leave VTSEL open.
ACCOUPLED
Bias VTD0, VTD1, VTSEL and VTD0, VTD1 Inputs within (VIHCMR) Common Mode Range
RSECL, PECL, NECL
Standard ECL Termination Techniques
LVTTL, LVCMOS
An external voltage should be applied to the unused complementary differential input.
Nominal voltage 1.5 V for LVTTL and VCC/2 for LVCMOS inputs.
Table 8. ATTRIBUTES
Characteristics
Value
Internal Input Pulldown Resistors
(R1)
75 kW
Internal Input Pullup Resistor
(R2)
37.5 kW
ESD Protection
Human Body Model
Machine Model
Charged Device Model
> 1 KV
> 50 V
> 4 KV
Moisture Sensitivity (Note 6)
PbFree Pkg
QFN16
Level 1
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
Transistor Count
Meets or exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
6. For additional information, see Application Note AND8003/D.
Table 9. MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Condition 1
Condition 2
Rating
Unit
VCC
Positive Power Supply
VEE = 0 V
3.6
V
VEE
Negative Power Supply
VCC = 0 V
3.6
V
VI
Positive Input
Negative Input
VEE = 0 V
VCC = 0 V
VI v VCC
VI w VEE
3.6
V
VINPP
Differential Input Voltage |Dn Dn|, |SEL SEL| VCC VEE w 2.8 V
VCC VEE < 2.8 V
2.8
|VCC VEE|
V
IIN
Input Current Through RT (50 W Resistor)
Static
Surge
45
80
mA
Iout
Output Current
Continuous
Surge
25
50
mA
TA
Operating Temperature Range
QFN16
40 to +85
°C
Tstg
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
(Note 7)
0 lfpm
500 lfpm
QFN16
41.6
35.2
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
2S2P (Note 7)
QFN16
4.0
°C/W
Tsol
Wave Solder
PbFree < 3 sec @ 260°C
265
°C
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
7. JEDEC standard multilayer board 2S2P (2 signal, 2 power) with 8 filled thermal vias under exposed pad.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TXR40AB00-1612AI2 | ADPTR TINEL LOCK STR SHELL 17, E |
| 74HC74DB,112 | IC DUAL POS-EDG-TRG D F-F 14SSOP |
| TXR54AB45-1206AI | ADPTR TINEL LOCK ANG SHELL 7, 12 |
| 7178DG | BOARD LEVEL HEAT SINK |
| SY10E404JZ | IC GATE AND/NAND QUAD 28-PLCC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NBSG86AMAG | 功能描述:IC SMART GATE SIGE DIFF 16-FCLGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置 系列:- 產品變化通告:Product Obsolescence 05/Oct/2010 標準包裝:100 系列:- 邏輯類型:可配置多功能 電路數:2 輸入數:2 施密特觸發器輸入:無 輸出類型:差分 輸出電流高，低:- 電源電壓:2.375 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-LBGA，FCBGA 供應商設備封裝:16-FCBGA（4x4） 包裝:帶卷 (TR) |
| NBSG86AMN | 功能描述:邏輯門 2.5V/3.3V SiGe Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel |
| NBSG86AMNG | 功能描述:邏輯門 2.5V/3.3V SiGe Diff Smart Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel |
| NBSG86AMNHTBG | 功能描述:邏輯門 BBG SIGE DIF SMRTGTE OUTPUT LEVEL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel |
| NBSG86AMNR2 | 功能描述:邏輯門 2.5V/3.3V SiGe Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel |
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