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參數資料
型號: NBSG86ABAR2
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 6/17頁
文件大小: 0K
描述: IC SMART GATE SIGE DIFF 16FCBGA
產品變化通告: Product Discontinuation 20/Aug/2008
標準包裝: 1
邏輯類型: 可配置多功能
電路數: 2
輸入數: 2
施密特觸發器輸入:
輸出類型: 差分
電源電壓: 2.375 V ~ 3.465 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-LBGA,FCBGA
供應商設備封裝: 16-FCBGA(4x4)
包裝: 標準包裝
其它名稱: NBSG86ABAR2OSDKR
NBSG86A
http://onsemi.com
14
APPLICATION INFORMATION
All NBSG86A inputs can accept PECL, CML, LVTTL, LVCMOS and LVDS signal levels. The limitations for differential
input signal (LVDS, PECL, or CML) are minimum input swing of 75 mV and the maximum input swing of 2500 mV. Within
these conditions, the input voltage can range from VCC to 1.2 V. Examples interfaces are illustrated below in a 50 W
environment (Z = 50
W). For output termination and interface, refer to application note AND8020/D.
Table 14. INTERFACING OPTIONS
Interfacing Options
Connections
CML
Connect VTD and VTD to VCC (See Figure 18)
LVDS
Connect VTD and VTD Together (See Figure 20)
ACCOUPLED
Bias VTD and VTD Inputs within Common Mode Range (VCMR) (See Figure 19)
RSECL, PECL, NECL
Standard ECL Termination Techniques (See Figure 22)
LVTTL, LVCMOS
An External Voltage (VTHR) should be Applied to the Unused Complementary Differential Input. Nominal
VTHR is 1.5 V for LVTTL and VCC / 2 for LVCMOS Inputs. This Voltage must be within the
VTHR Specification. (See Figure 21)
50 W
VCC
D
50 W
NBSG86A
VCC
VTD
VEE
VCC
Q
50 W 50 W
CML
Driver
VEE
Figure 18. CML Interface
Q
Z = 50 W
Figure 19. PECL Interface
50 W
VCC
PECL
Driver
D
50 W
NBSG86A
VEE
VBias*
VTD
VEE
RT
VEE
VCC
RT
5.0 V 290 W
3.3 V 150 W
2.5 V 80 W
Recommended RT Values
VTD
VCC
VTD
VBias*
Z = 50 W
C
*VBias must be within common mode range limits (VCMR)
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PDF描述
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參數描述
NBSG86AMAG 功能描述:IC SMART GATE SIGE DIFF 16-FCLGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能,可配置 系列:- 產品變化通告:Product Obsolescence 05/Oct/2010 標準包裝:100 系列:- 邏輯類型:可配置多功能 電路數:2 輸入數:2 施密特觸發器輸入:無 輸出類型:差分 輸出電流高,低:- 電源電壓:2.375 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-LBGA,FCBGA 供應商設備封裝:16-FCBGA(4x4) 包裝:帶卷 (TR)
NBSG86AMN 功能描述:邏輯門 2.5V/3.3V SiGe Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量(輸入/輸出):2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
NBSG86AMNG 功能描述:邏輯門 2.5V/3.3V SiGe Diff Smart Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量(輸入/輸出):2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
NBSG86AMNHTBG 功能描述:邏輯門 BBG SIGE DIF SMRTGTE OUTPUT LEVEL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量(輸入/輸出):2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
NBSG86AMNR2 功能描述:邏輯門 2.5V/3.3V SiGe Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數量:2 線路數量(輸入/輸出):2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
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