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參數(shù)資料
| 型號： | NE02112 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管高FREQUNY |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | NE02112 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE02132 | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| NE02133 | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| NE02135 | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| NE021 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE02100 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE02130 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) |
| NE02132 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| NE02133 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| NE02133-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN SILICON AMP RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE02133-R2-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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