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參數資料
| 型號： | NE68019-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數： | 1/19頁 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | NE68019-T1 |
Both the chip and micro-x versions are suitable for applications
up to 6 GHz. The NE680 die is also available in six different low
cost plastic surface mount package styles. The NE680's high
f
T
makes it ideal for low voltage/low current applications, down
to as low as 0.5 V / 0.5 mA. IC max for the NE680 series is
35 mA. For higher current applications see the NE681 series.
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NOISE FIGURE & ASSOCIATED GAIN
vs. FREQUENCY
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NE68035
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25
6V, 5 mA
3V, 5 mA
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NEC's NPN SILICON HIGH
FREQUENCY TRANSISTOR
NE680
SERIES
NEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is
designed for low noise, high gain and low cost applications.
300 500 1000 2000 3000
.5
1.0
1.5
2.0
2.5
20
15
10
5
N
A
A
Frequency, f (GHz)
00 (CHIP)
35 (MICRO-X)
E
B
DESCRIPTION
FEATURES
HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
f
T
= 10 GHz
LOW NOISE FIGURE:
1.7 dB at 2 GHz
2.6 dB at 4 GHz
HIGH ASSOCIATED GAIN:
12.5 dB at 2 GHz
8.0 dB at 4 GHz
EXCELLENT LOW VOLTAGE
LOW CURRENT PERFORMANCE
18 (SOT 343 STYLE)
19 (3 PIN ULTRA
SUPER MINI MOLD)
30 (SOT 323 STYLE)
33 (SOT 23 STYLE)
39 (SOT 143 STYLE)
39R (SOT 143R STYLE)
California Eastern Laboratories
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68030-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68033-T1B | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039R-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE680M03 | NPN SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE68019-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68030 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68030-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68030-T1 | 功能描述:TRANS NPN 2GHZ SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| NE68030-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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